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慧荣发布PCIe NVMe 单芯片 SSD:最小尺寸11.5mm x 13mm

2018-3-1 09:00 198 0
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摘要: 纽伦堡,德国,于2018年2月27日/ PRNewswire / - 设计和营销NAND闪存控制器和固态存储设备的全球领先企业Silicon Motion Technology Corporation(纳斯达克股票代码:SIMO)(“Silicon Motion”)今天推出了新型Fer ...

纽伦堡德国,于2018年2月27日/ PRNewswire / - 设计和营销NAND闪存控制器和固态存储设备的全球领先企业Silicon Motion Technology Corporation(纳斯达克股票代码:SIMO)(“Silicon Motion”)今天推出了新型FerriSSD®单芯片SSD, PCIe Gen 3 NVMe 1.3接口,用于高性能关键任务应用。SM689支持PCIe Gen 3x4接口,而SM681支持PCI Gen 3x2接口 - 展现顺序读取速度高达1.45GB / s,连续写入速度高达650MB / s。两款产品均可支持16GB至256GB的多种容量配置,并采用Silicon Motion专有的端到端数据保护,ECC和数据缓存技术,提供企业级高级数据完整性和可靠性功能。

SM689 *和SM681 *是FerriSSD系列的最新成员,其中包括针对工业,商业,企业和汽车终端市场嵌入式计算应用的PATA(SM601)和SATA(SM619)解决方案。FerriSSD单芯片SSD可通过固件进行定制,并提供增强的可靠性和强大的数据完整性功能,这些功能对于这些应用的极端操作环境至关重要。   

Sili

con Motion公司营销和OEM业务高级副总裁Nelson Duann表示:“FerriSSD存储解决方案深受汽车和工业设计人员的欢迎,使他们能够用可靠的固态替代品取代硬盘驱动器“增加PCIe NVMe接口将为AI和自动驾驶等应用带来显着改善的性能。”

Silicon Motion的SM689和SM681 FerriSSD支持增强的可靠性和数据完整性特性,可用于苛刻的汽车,商业,企业和工业应用。其功能包括:

  • 端到端数据路径保护,将错误校正码(ECC)应用于SSD的SRAM和DRAM缓冲区以及主NAND闪存阵列

  • DRAM数据缓存,以确保数据编程和启用数据冗余,而不会延迟主机处理器操作 

  • Hybrid Zone可以将单个磁盘划分为单层单元(SLC)和多层单元/三层单元(MLC / TLC)区域,从而实现更快的访问速度和数据保留   

  • 智能扫描/ DataRefresh可防止高温操作导致更高的数据丢失

  • 采用Silicon Motion专有的 4 代高性能LDPC ECC引擎与RAID的NANDXtend™技术,确保即使在极端物理环境下也能获得更好的数据完整性

  • 16mm x 20mm(SM689)和11.5mm x 13mm(SM681)单芯片封装

  • 支持-40至85摄氏度的工业温度

  • 发射时密度范围从16GB到256GB

最新的PCIe NVMe FerriSSD系列产品目前正在投入生产,产品将在嵌入式世界展览会上(位于德国纽伦堡,即2018年 2月27日至2018年31日在Silicon Motion展位1.119展出

* SM689是嵌入式DRAM,SM681是无DRAM


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    这个人很懒什么都没写!
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