东芝宣布推出TSV技术的BiCS 3DFlash

2017-7-11 22:41 375 0
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摘要: 还记得此前东芝展示的64层BiCS 3D堆叠技术的SSD成品吗?众所周知多层堆叠3D TLC闪存的好处很明显,体现在SSD闪存芯片体积不变的情况下容量提升,而且有助于降低成本。而此前发布的XG5系列M.2硬盘,采用的是64层堆栈T ...

还记得此前东芝展示的64层BiCS 3D堆叠技术的SSD成品吗?众所周知多层堆叠3D TLC闪存的好处很明显,体现在SSD闪存芯片体积不变的情况下容量提升,而且有助于降低成本。而此前发布的XG5系列M.2硬盘,采用的是64层堆栈TLC闪存,单面布局容量就能达到1TB,连续读取速度3GB/s,写入速度2.1GB/s。XG5系列使用的闪存单颗容量高达512Gb(64GB),采用M.2 2280规格,容量分别是256GB、512GB和1TB三种。

而在东芝又给我们带来重大突破,东芝今天宣布利用Through Silicon Via(STV)技术开发了世界上第一个BiCS Flash立体(3D)Flash存储器,并将于8月7日至10日在美国圣克拉拉举行的2017年闪存峰会(Flash Memory Summit 2017)上展示其原型,产品样品将在2017下半年出货。

东芝结合48层3D NAND和STV技术实现存储器带宽的提高,以及低功耗。TSV技术的BiCS Flash使16-Die堆叠的单芯片可实现1TB容量;8-Die堆叠的单芯片容量达512GB。

东芝将BiCS Flash与TSV技术结合,将提供高端企业级SSD,满足需要低延迟、高传输、高IOPS的数据存储需求。目前东芝暂未公布产品价格以及具体出货日期,更多信息请关注SSD PK 社区

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    TylerDong

    管理员
    这个人很懒什么都没写!
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