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三星加大半导体投资:压制国产SSD、内存

2017-11-20 11:49 57 0
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摘要: 据韩联社报道,市场调研机构IC Insights17日发布的一份报告显示,今年全球半导体设备总投资约908亿美元,三星电子达260亿美元,占比逾两成。报告显示,三星对半导体设备的投资规模甚至高于英特尔、台积电的投资总和 ...

据韩联社报道,市场调研机构IC Insights17日发布的一份报告显示,今年全球半导体设备总投资约908亿美元,三星电子达260亿美元,占比逾两成。

报告显示,三星对半导体设备的投资规模甚至高于英特尔、台积电的投资总和。报告分析称,从长远来看,三星大规模设备投资会给行业带来负面影响。尤其是,SK海力士、镁光、东芝、英特尔等也将加入竞争行列,行业竞争或日趋白热化。

报告指出,三星加大半导体设备投资力度或打击中国半导体企业的投资信心,这有望让三星电子和SK海力士继续保持在半导体市场的主导地位。报告还指出,如果中国新生半导体企业没有实现划时代突破,如形成“联营体”等,就无法与三星电子等领先企业形成竞争格局。

根据IC Insights的数据:三星去年在半导体资本支出方面投入了113亿美元,三星宣布2017年半导体产业支出预计将翻一番,达到260亿美元,该公司2017年的260亿美元支出将超过英特尔和台积电的总和。


IC Insights总裁Bill McClean表示:“在我追踪半导体行业的37年中,我从来没有见过如此激进的半导体资本支出。“今年三星的巨额开支在半导体行业史上是史无前例的。”


2010年是三星在半导体领域投入了超过100亿美元资本支出的第一年。IC Insights指出,在2016年花费了113亿美元之后,预计2017年的资本开支预计将大幅增长。


IC Insights预计,2017年第四季度,三星半导体的半导体资本支出为86亿美元,将占本季度半导体行业资本支出总额的262亿美元的33%。同时,公司预计将在2017年第四季度占全球半导体销售额的约16%。


IC Insights表示,今年三星在半导体支出方面的投资总额达到260亿美元,预计140亿美元将用于该公司的3D NAND闪存业务,比如平泽工厂产能的巨大增长。与此同时,三星的DRAM工艺迁移和额外产能预计将达到70亿美元,其余50亿美元将用于提升10纳米逻辑处理能力等活动,以提高其在铸造领域的竞争力。


IC Insights认为,今年三星的巨额支出将会对未来产生影响。3D NAND闪存市场可能出现的一个效应就是产能过剩时期。这种产能过剩的情况不仅是由于三星在3D NAND闪存方面的巨额支出,也是由于该公司在这个市场领域(例如SK海力士,美光,东芝和英特尔)对该公司支出激增的回应。在某个时候,三星的竞争对手将需要提高产能或者失去市场份额。


IC Insights表示,三星目前的消费热潮也预计将会扼杀中国公司可能成为3D NAND闪存或DRAM市场重要参与者的任何希望。IC Insights补充说,对于中国创业公司与三星,SK海力士和美光在3D NAND和DRAM技术方面的竞争能力,他们一直持怀疑态度。根据IC Insights的数据,今年三星的支出水平仅仅是保证,如果没有与大型现有存储器供应商的某种类型的合资企业,中国的内存初创公司几乎没有机会像现在的领先供应商一样竞争。


对于三星来说,今年利润持续暴涨,主要贡献是还要归功于芯片业务,当然了想要在这个高精尖领域保持领先,没有大规模的投入,怎么能行?

目前,国产内存、SSD等都在疯狂发力,而三星不断压制也是惧怕未来给自己带来行业领先地位的威胁。你怎么看待三星加大半导体投资这件事,欢迎文末留言说出你的观点!


本文由SSD社区发布,2017年11月20号


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    这个人很懒什么都没写!
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