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台积电重返内存市场 瞄准MRAM和RRAM

2017-6-8 00:25 105 0
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摘要: 据了解,台积电早在2000年就和工研院合作投入MRAM等次世代存储研发,多年来因难度高,商业化和竞争力远不如DRAM,导致多家厂商都都仅限于研发。存储业者表示,次世代存储中,投入研发的厂商主要集中MRAM、RRAM及相变 ...

据了解,台积电早在2000年就和工研院合作投入MRAM等次世代存储研发,多年来因难度高,商业化和竞争力远不如DRAM,导致多家厂商都都仅限于研发。
存储业者表示,次世代存储中,投入研发的厂商主要集中MRAM、RRAM及相变化存储(PRAM)等三大次世代存储,其中以MRAM的处理速度最快,但也是最难量产的存储类型。
不过,在DRAM和NAND Flash制程已逼近极限,包括无人车、AI人工智慧、高阶智慧型手机和物联网等要求快速演算等功能,是台积电认为商机即将成熟并决定在2018及2019年提供相关嵌入及整合其他异质芯片技术,进行商业化量产。


虽然市场对eMRAM技术需求殷切,但是从各家晶圆代工业者所公布的生产时程来看,时程较一、两年前的预期都有些延宕,而且还存有不确定性。主要的原因是因为eMRAM是制程微缩研发主轴之外的技术,不是常规的研发题材;而晶圆代工以制造服务业自居、习惯由顾客来带领方向,对于前瞻性、大转弯的研发一向有些迟疑。

熟悉产业的人也许会举反例:Samsung不是早就在2011年就并购了研发MRAM为核心事业的Grandis了吗?是的,但是当初并购的主要目的是为了其存储事业部,并购后最初设计的产品也是DRAM-like的产品,虽然最终没有成功。从这个例子恰恰好可以看出过去产品公司与制造服务公司对于研发思维模式的差异。但是产业的环境改变了,想法也得跟着改,eMRAM这个非常规的竞争轴线让我们有机会观察产业竞争策略的变迁。

OFweek电子工程网讯晶圆代工大厂台积电和三星的竞争,现由逻辑芯片扩及内存市场。台积电这次重返内存市场,瞄准是诉求更高速及低耗电的MRAM和RRAM等次世代内存,因传输速度比一般闪存快上万倍,是否引爆内存产业的新潮流,值得密切关注。
台积电技术长孙元成日前在台积电技术论坛,首次揭露台积电研发多年的eMRAM(嵌入式磁阻式随机存取内存)和eRRAM(嵌入式电阻式内存)分别订明后年进行风险性试产,主要采用22奈米制程,这将是台积电因应物联网、行动装置、高速运算计算机和智能汽车等四领域所提供效能更快速和耗电更低的新内存。

这也是台积电共同执行长魏哲家向法人表达不会跨足标准型内存,不会角逐东芝分割成立半导体公司股权后,台积电再次说明内存的战策布局,将瞄准效能比一般DRAM和储存型闪存(NAND Flash)的MRAM和RRAM。
稍早三星电子也在一场晶圆厂商论坛中发表该公司所研发的MRAM。三星目前也是全球中率先可提供此次世代内存产品的内存厂,产品技术时程大幅领先台积电,三星的MRAM并获恩智浦导入。

据了解,台积电早在2000年就和工研院合作投入MRAM等次世代内存研发,多年来因难度高,商业化和竞争力远不如DRAM,导致多家厂商都都仅限于研发。

内存业者表示,次世代内存中,投入研发的厂商主要集中MRAM、RRAM及相变化内存(PRAM)等三大次世代内存,其中以MRAM的处理速度最快,但也是最难量产的内存类型。
不过,在DRAM和NAND Flash制程已逼近极限,包括无人车、AI人工智能、高阶智能型手机和物联网等要求快速演算等功能,是台积电认为商机即将成熟并决定在2018及2019年提供相关嵌入及整合其他异质芯片技术,进行商业化量产。



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    TylerDong

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    这个人很懒什么都没写!
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