三星/SK海力士加速量产3D闪存

2017-7-7 01:53 44 0
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摘要: 此前有消息证实,SK海力士已开始大规模生产72层(第四代)3D NAND闪存芯片,SK海力士72层3D NAND闪存的生产效能将比上一代提高30%,类似于三星从六月开始批量生产64层(第四代)3D NAND较48层生产效率提高一样,继DR ...

      
此前有消息证实,SK海力士已开始大规模生产72层(第四代)3D NAND闪存芯片,SK海力士72层3D NAND闪存的生产效能将比上一代提高30%,类似于三星从六月开始批量生产64层(第四代)3D NAND较48层生产效率提高一样,继DRAM之后,SK海力士正在积极为NAND Flash成为市场领先打下基础。SK海力士3D NAND芯片是TLC架构的产品,相较于MLC更有成本优势。72层3D NAND堆叠层数是48层的1.5倍,通过大规模生产,使其生产效率提高30%,同时通过高速电路设计,使芯片内部运算速度快两倍,读写性能较48层3D NAND芯片提高20%。

       SK海力士目前在清州M12工厂大量生产72层3D NAND,还计划第三季度在利川的新工厂M14二楼开始大规模生产3D NAND,SK海力士预计3D NAND的生产率在年底将超过50%。此外,SK海力士已开始为客户提供基于72层256Gb 3D NAND生产的SSD、移动设备用eMMC。事实上,SK海力士从4月份宣布推出72层3D NAND到大规模量产,仅仅用了3个月异常快的时间。

        通常半导体技术开发完成后,意义上大规模量产最快6个月,慢则1年以上。三星在去年8月首次推出64层(第四代)3D NAND,今年6月开始大规模生产,这中间过去了10个月。

        前三个月,SK海力士一直在为72层3D NAND量产而努力,然而内部并不乐观,尽管在4月宣布了72层3D NAND开发结果,但是量产情况让人感觉非常紧张。管理团队和工程师们花了大量的时间和精力进行改善,产量能力才得以提高。

       2017下半年是各家原厂3D NAND争相量产的时期,三星已开始量产64层3D NAND,并利用新平泽工厂提高产量,美光推进64层3D NAND也非常顺利,东芝、西部数据预计将从2017下半年开始量产64层3D NAND。不过市场认为,东芝和西部数据因为东芝TMC出售案关系紧张,可能会影响技术发展和工厂量产情况。随着SK海力士成功量产72层3D NAND,有助于其提高在NAND Flash市场的竞争力。

    IT之家此前报道,三星电子全球最大规模半导体生产线正式投产。该生产线开始量产第四代64层堆叠闪存,相关产品预计将于今年Q3\Q4正式登场。  DRAM方面,美光今天刚刚澄清了工厂故障传闻,NAND上也先后迎来好消息。首先是三星位于京畿道平泽市的全球最大半导体工厂开始量产出货第四代堆叠闪存,达到 64 层,预计相关SSD会在Q3\Q4 正式登场。

      相信2017年的下半年将会迎来一场热火。

    



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