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美光科技宣布旗舰智能手机领先的移动3D NAND解决方案

2018-3-1 09:02 167 0
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摘要: 美光科技公司今天宣布推出三款新的64层第二代3D NAND存储产品,它们支持高速通用闪存(UFS)2.1标准。美光科技的新型移动3D NAND产品可提供256GB,128GB和64GB的容量。这些新的移动解决方案基于美光科技业界领先的三 ...

美光科技公司今天宣布推出三款新的64层第二代3D NAND存储产品,它们支持高速通用闪存(UFS)2.1标准。美光科技的新型移动3D NAND产品可提供256GB,128GB和64GB的容量。

这些新的移动解决方案基于美光科技业界领先的三重单元(TLC)3D NAND技术,使智能手机制造商能够利用人工智能(AI),虚拟现实和面部识别等下一代移动功能增强用户体验。人工智能在旗舰手机中的出现推动了对更先进的存储解决方案的需求,这些解决方案能够更快速,更高效地访问数据。分析公司Gartner预测,到2022年,所有智能手机中的80%将具有设备上的AI功能,从而增加了在本地处理和存储更多数据的需求。


此外,由于智能手机已成为摄影和多媒体共享的首选设备,存储容量继续显着增加,目前旗舰手机的容量高达256GB,并预计到2021年容量将增长到1TB。美光新推出的64层TLC 3D NAND存储解决方案通过利用移动优化架构来提供一致的高性能和低延迟,同时在更小的空间内提供更多容量,从而满足这些需求。  


“移动业务部门营销副总裁Gino Skulick表示:”在提供我们大家期待的智能手机的大胆新功能中,内存扮演着越来越重要的角色。“美光独一无二地提供移动DRAM和3D NAND,我们领先的设计继续提供最先进的智能手机所要求的性能。”


64层TLC 3D NAND:为未来的移动景观提供动力


新的移动3D NAND产品将更多存储单元集成到更小的裸片区域,并且通过利用美光科技的阵列(CuA)下的CMOS,它们提供了同类最佳的裸片尺寸。美光独特的方法将所有闪存层置于逻辑阵列之上,最大限度地利用智能手机设计中的空间。


美光科技的第二代TLC 3D NAND移动技术具有多项竞争优势,包括下列新功能:


美光科技的移动优化架构可提供一致的高性能和低延迟,从而增强用户体验,同时通过使用高效的峰值功率管理系统将功耗降至最低。


美光科技新推出的64层TLC 3D NAND产品比上一代TLC 3D NAND快50%。

美光的64层3D NAND技术使上一代TLC 3D NAND的存储密度翻了一番,同时保持相同的封装尺寸。


UFS 2.1 G3-2L接口规范为移动应用程序提供了令人瞩目的性能,与e.MMC 5.1相比,其带宽高达200%,并提供同步读写功能。这支持捕获高分辨率照片的突发数据或将4K视频记录到存储时所需的数据访问速度。 


这些新产品是基于32GB的模具,测量为59.341毫米 的业界最小的32GB TLC三维NAND。


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最新评论

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    管理员
    这个人很懒什么都没写!
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